集成电路及芯片
集成电路用超高纯电子气体，主要有TEOS、钽源、铪源等，应用于半导体生产制造工艺的IC前驱体。 在包括薄膜、光刻、互连、掺杂技术等的半导体制造过程中，前驱体主要应用于气相沉积（包括物理沉积 PVD、化学气相沉积 CVD 及原子气相沉积ALD） ，以形成符合半导体制造要求的各类薄膜层。 此外， 前驱体也可用于半导体外延生长、蚀刻、离子注入掺杂以及清洗等，是半导体制造的核心材料之一。 半导体前驱体可分为：TEOS（正硅酸乙酯）、硼磷（B、 P）掺杂剂、金属前驱体、高 k 前驱体、低 k 前驱体等。TEOS 和硼磷掺杂剂主要用于生成 ILD（Inter Layer Dielectric，层间电解质）、 IMD（InterMeal Dielectric，金属间电解质），其中 TEOS 主要用于硅酮聚合物的交联剂及二氧化硅薄膜前驱体。高 k 前驱体用于生成电容及栅极。